高純度碳化硅SiC產(chǎn)品介紹
高純度碳化硅系列產(chǎn)品
前 述：碳化硅作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在禁帶寬度、擊穿電場、熱導(dǎo)率、電子飽和速率、抗輻射能力等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢，滿足了現(xiàn)代工業(yè)對(duì)高功率、高電壓、高頻率的需求，主要被用于制作高速、高頻、大功率及發(fā)光電子元器件。下游應(yīng)用領(lǐng)域包括智能電網(wǎng)、新能源汽車、光伏風(fēng)電、5G通信等，在功率器件領(lǐng)域有碳化硅二極管、MOSFET等已經(jīng)開始商業(yè)化應(yīng)用。作為碳化硅晶錠的長晶基礎(chǔ)原材料也尤其重要，高品質(zhì)、高純度、高穩(wěn)定的碳化硅粉料才可以生長出品質(zhì)優(yōu)越且質(zhì)量穩(wěn)定的大尺寸晶錠從而生產(chǎn)出高品質(zhì)晶片襯底。
高純度碳化硅粉料-產(chǎn)品純度3N-6N
高純度碳化硅
高純度碳化硅
結(jié) 構(gòu)：3N-晶體結(jié)構(gòu)為3C (β-SiC）屬于立方碳化硅，5N-晶體結(jié)構(gòu)為6H，6N-晶體結(jié)構(gòu)為4H。
用 途：主要應(yīng)用于制造單晶碳化硅晶體原料、粑材及其它電子、磨具及特殊陶瓷部件等。
高 純 度 粉 料 實(shí) 拍 圖 片 展 示
針狀-未除碳料
顆粒狀-除碳料
針狀-除碳料
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